瞬態抑制二極管（Transient Voltage Suppressor Diode，簡稱TVS）是一種用于電路保護的半導體器件，其符號如下：

• 單向TVS二極管：符號類似于普通二極管，但在二極管符號的一側有一個額外的弧線，表示其瞬態抑制特性。其正向特性與普通二極管類似，但反向具有雪崩擊穿特性，能夠在過壓時迅速導通，分流過電流。

• 雙向TVS二極管：符號由兩個背靠背的單向TVS符號組成，表示其在正、反兩個方向上都具有瞬態抑制能力。

TVS二極管的核心特性：

• 快速響應：TVS二極管的響應時間極短，通常在皮秒級，能夠迅速抑制瞬態過電壓。

• 低鉗位電壓：在擊穿后，TVS二極管能夠將電壓鉗位在一個相對較低的水平，保護后級電路。

• 高浪涌承受能力：能夠承受較大的瞬態電流，適用于高能量瞬態脈沖的抑制。

應用領域：

• 電路防護：常用于電源線、信號線等易受浪涌沖擊的電路中，防止因雷擊、靜電放電（ESD）等引起的過壓損壞。

• 電子設備保護：廣泛應用于消費電子、工業控制、汽車電子等領域，保護敏感元件免受瞬態過電壓的破壞。

肖特基二極管符號與特性

肖特基二極管（Schottky Barrier Diode，簡稱SBD）是一種基于金屬-半導體結（肖特基勢壘）的二極管，其符號如下：

• 肖特基二極管符號：與普通二極管符號類似，但在二極管符號的一側有一個額外的“S”形曲線或標記，表示其為肖特基二極管。

肖特基二極管的核心特性：

• 低正向壓降：肖特基二極管的正向導通電壓較低，通常在0.2V至0.5V之間，遠低于普通硅二極管的0.7V，因此功耗更低。

• 快速開關速度：由于沒有少數載流子存儲效應，肖特基二極管的反向恢復時間極短，適用于高頻應用。

• 低反向漏電流：在反向偏置時，肖特基二極管的漏電流較小，但在高溫下漏電流會顯著增加。

應用領域：

• 高頻整流：由于其快速開關特性，肖特基二極管常用于高頻開關電源、射頻電路等需要高速整流的場合。

• 低壓大電流應用：適用于低壓、大電流的整流和續流，如計算機電源、電池供電設備等。

• 防止電壓反向沖擊：可用于USB接口的反接保護等場景，防止因電壓反向導致的損壞。

TVS二極管與肖特基二極管的對比