英飛凌IRF4905STRLPBF MOS管中文資料


英飛凌IRF4905STRLPBF MOS管中文資料
1. 型號和類型
IRF4905STRLPBF 是英飛凌公司生產的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應晶體管)。它屬于P溝道增強型MOSFET,主要用于低壓、高電流的開關應用中。此型號采用TO-252封裝,適用于表面貼裝技術(SMT)。
P溝道MOSFET
P溝道MOSFET是一種場效應晶體管,其工作原理與N溝道MOSFET相反。P溝道MOSFET在源極(Source)和漏極(Drain)之間形成一個P型半導體區域,而在柵極(Gate)施加負電壓時,使P溝道導通。在沒有負電壓或施加正電壓時,P溝道處于截止狀態。IRF4905STRLPBF作為P溝道MOSFET,適用于需要負電壓控制的電路。
廠商名稱:ST意法半導體
元件分類:達林頓管
中文描述: 單晶體管雙極,達林頓,NPN,400 V,15 A,125 W,TO-220,通孔
英文描述: Trans Darlington NPN 400V 10A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube
數據手冊:
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BU931T概述
BU931T是采用多外延平面技術制造的400V高壓點火線圈驅動器NPN功率達林頓晶體管。該晶體管經過適當設計,可在汽車環境中用作電子點火電源執行器。快速的開關時間和非常低的飽和電壓可減少開關和傳導損耗。
非常堅固的雙極技術
高工作結溫
良好控制的hFE參數可提高可靠性
應用
電源管理
BU931T中文參數
通道類型 | P | 晶體管配置 | 單 |
最大連續漏極電流 | 70 A | 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
最大漏源電壓 | 55 V | 每片芯片元件數目 | 1 |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) | 最高工作溫度 | +150 °C |
安裝類型 | 表面貼裝 | 最低工作溫度 | -55 °C |
引腳數目 | 3 | 系列 | HEXFET |
最大漏源電阻值 | 20 mΩ | 寬度 | 9.65mm |
通道模式 | 增強 | 高度 | 4.83mm |
最大柵閾值電壓 | 4V | 典型柵極電荷@Vgs | 120 nC |
最小柵閾值電壓 | 2V | 晶體管材料 | Si |
最大功率耗散 | 170 W | 長度 | 10.67mm |
? BU931T引腳圖
2. 工作原理
MOSFET 的工作原理是通過柵極電壓來控制源極和漏極之間的電流。IRF4905STRLPBF 作為P溝道MOSFET,當柵極電壓(V_GS)低于源極電壓(V_S)時,形成導通狀態,允許電流從源極流向漏極。當柵極電壓高于源極電壓時,MOSFET處于截止狀態,阻止電流流動。
在IRF4905STRLPBF中,當柵極電壓為零或正值時,MOSFET處于關閉狀態。當施加負柵極電壓時,P型半導體中的空穴在柵極電壓的作用下被吸引,從而在源極和漏極之間形成導電通道,使電流能夠從源極流向漏極。這一過程稱為增強模式(Enhancement Mode)。
3. 特點
IRF4905STRLPBF 具有以下主要特點:
低導通電阻(R_DS(on)):該MOSFET在導通狀態下具有極低的導通電阻,通常在0.02Ω以下。這意味著在高電流條件下,MOSFET產生的功率損耗較小,有助于提高電路的效率。
高電流處理能力:該器件能夠處理高達74A的連續漏極電流(I_D),適用于大電流應用。
低柵極電荷(Q_g):IRF4905STRLPBF具有較低的柵極電荷,使其能夠以較高的頻率進行開關操作,同時減少驅動電路的能耗。
寬廣的工作電壓范圍:該MOSFET的漏源擊穿電壓(V_DS)為-55V,使其能夠在各種電源電壓條件下可靠工作。
高可靠性和耐用性:采用TO-252封裝,具有良好的散熱性能和機械強度,能夠在惡劣的工作環境中穩定運行。
4. 應用
IRF4905STRLPBF 廣泛應用于各種需要高效功率開關的領域,主要包括:
電源管理系統:用于DC-DC轉換器、開關電源(SMPS)等電源管理電路中,實現高效的電能轉換和分配。
電機控制:在電動機驅動和控制電路中,MOSFET用于調節電流和電壓,實現精確的速度和方向控制。
電池管理系統:用于電池充電和放電控制,確保電池的高效充電和安全使用。
汽車電子:在汽車電子系統中,IRF4905STRLPBF可用于控制燈光、座椅加熱器、空調等負載。
工業自動化:用于工業自動化設備的控制電路中,實現高效的電機驅動和負載控制。
5. 參數
IRF4905STRLPBF 的主要技術參數如下:
漏源擊穿電壓(V_DS):-55V
連續漏極電流(I_D):74A(在25°C環境溫度下)
導通電阻(R_DS(on)):0.02Ω(最大值,在V_GS=-10V時)
柵極電荷(Q_g):160nC(在V_GS=-10V時)
柵極閾值電壓(V_GS(th)):-2V至-4V
總功耗(P_D):200W(在25°C環境溫度下)
封裝類型:TO-252
這些參數顯示了IRF4905STRLPBF在各種應用中的高效性能和可靠性,使其成為各種高效電源管理和控制系統中的理想選擇。
總結: IRF4905STRLPBF是英飛凌公司推出的一款高效P溝道MOSFET,具備低導通電阻、高電流處理能力、低柵極電荷和寬廣的工作電壓范圍等優點。廣泛應用于電源管理系統、電機控制、電池管理系統、汽車電子和工業自動化等領域。其主要技術參數如漏源擊穿電壓、連續漏極電流、導通電阻和柵極電荷等表明該器件在高效功率開關應用中的卓越性能和可靠性。
責任編輯:David
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